Descripción

Parámetros técnicos

Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd.: ¡Su fabricante confiable de obleas de silicio de óxido térmico!

Fundada en 2006 por científicos de ingeniería y ciencia de materiales en Ningbo, China, Sibranch Microelectronics tiene como objetivo proporcionar obleas de semiconductores y servicio en todo el mundo. Nuestros productos principales incluyen obleas de silicio estándar SSP (pulidas por un solo lado), DSP (pulidas por ambos lados), obleas de silicio de prueba y obleas de silicio de primera calidad, obleas SOI (silicio sobre aislante) y obleas de rollo de monedas con un diámetro de hasta 12 pulgadas, CZ/MCZ/FZ/NTD, casi cualquier orientación, cortes, alta y baja resistividad, obleas ultraplanas, ultradelgadas, gruesas, etc.

Servicio líder
Nos comprometemos a innovar constantemente nuestros productos para ofrecer a los clientes extranjeros una gran cantidad de productos de alta calidad que superen la satisfacción del cliente. También podemos proporcionar servicios personalizados de acuerdo con los requisitos de los clientes, como tamaño, color, apariencia, etc. Podemos ofrecer el precio más favorable y productos de alta calidad.

Calidad garantizada
Hemos estado investigando e innovando continuamente para satisfacer las necesidades de diferentes clientes. Al mismo tiempo, siempre nos adherimos a un estricto control de calidad para garantizar que la calidad de cada producto cumpla con los estándares internacionales.

Amplios países de venta
Nos centramos en las ventas en mercados extranjeros. Nuestros productos se exportan a Europa, América, el sudeste asiático, Oriente Medio y otras regiones, y son bien recibidos por clientes de todo el mundo.

Varios tipos de productos
Nuestra empresa ofrece servicios de procesamiento de obleas de silicio personalizados, diseñados para satisfacer las necesidades específicas de nuestros clientes. Estos incluyen rectificado de obleas de silicio, corte en cubitos, reducción de tamaño, rectificado de bordes y MEMS, entre otros. Nos esforzamos por ofrecer soluciones a medida que superen las expectativas y garanticen la satisfacción del cliente.

Oblea de silicio CZ

Las obleas de silicio CZ se cortan a partir de lingotes de silicio monocristalino extraídos mediante el método de crecimiento CZ de Czochralski, que es el más utilizado en la industria electrónica para hacer crecer cristales de silicio a partir de lingotes de silicio cilíndricos grandes que se utilizan para fabricar dispositivos semiconductores. En este proceso, se introduce una semilla de silicio cristalino alargada con una tolerancia de orientación precisa en un baño de silicio fundido con una temperatura controlada con precisión. El cristal semilla se extrae lentamente hacia arriba desde la masa fundida a una velocidad estrictamente controlada y se produce la solidificación cristalina de los átomos de la fase líquida en la interfaz. Durante este proceso de extracción, el cristal semilla y el crisol giran en direcciones opuestas, formando un gran silicio monocristalino con una estructura cristalina perfecta de la semilla.

Oblea de óxido de silicio

La oblea de óxido de silicio es un material avanzado y esencial que se utiliza en diversas industrias y aplicaciones de alta tecnología. Es una sustancia cristalina de alta pureza que se produce mediante el procesamiento de materiales de silicio de alta calidad, lo que la convierte en un sustrato ideal para muchos tipos diferentes de aplicaciones electrónicas y fotónicas.

Oblea ficticia (rollo de monedas)

Las obleas ficticias (también llamadas obleas de prueba) son obleas que se utilizan principalmente para experimentos y pruebas y que se diferencian de las obleas generales para productos. Por lo tanto, las obleas recuperadas se utilizan principalmente como obleas ficticias (obleas de prueba).

Oblea de silicio recubierta de oro

Las obleas de silicio recubiertas de oro y los chips de silicio recubiertos de oro se utilizan ampliamente como sustratos para la caracterización analítica de materiales. Por ejemplo, los materiales depositados sobre obleas recubiertas de oro se pueden analizar mediante elipsometría, espectroscopia Raman o espectroscopia infrarroja (IR) debido a la alta reflectividad y las favorables propiedades ópticas del oro.

Oblea epitaxial de silicio

Las obleas epitaxiales de silicio son muy versátiles y se pueden fabricar en una variedad de tamaños y espesores para adaptarse a diferentes requisitos de la industria. También se utilizan en una variedad de aplicaciones, incluidos circuitos integrados, microprocesadores, sensores, electrónica de potencia y energía fotovoltaica.

Oxido térmico seco y húmedo

Fabricado con la última tecnología y diseñado para ofrecer una fiabilidad y una consistencia de rendimiento incomparables, el óxido térmico seco y húmedo es una herramienta esencial para los fabricantes de semiconductores de todo el mundo, ya que proporciona una forma eficiente de producir obleas de alta calidad que cumplen con todos los exigentes requisitos de la industria.

Oblea fina de silicio

¿Qué son las obleas de silicio ultradelgadas? Las obleas con un espesor de 200 micras o menos utilizan para su proceso de adelgazamiento los siguientes procesos: rectificado mecánico, reducción de tensiones, pulido y grabado. En la actualidad y en el futuro, el silicio ultradelgado es un componente importante para la fabricación de dispositivos semiconductores.

Oblea de silicio de 300 mm

Esta oblea tiene un diámetro de 300 milímetros, lo que la hace más grande que las obleas tradicionales. Este mayor tamaño la hace más rentable y eficiente, lo que permite una mayor producción sin sacrificar la calidad.

Oblea de silicio de 100 mm

La oblea de silicio de 100 mm es un producto de alta calidad que se utiliza ampliamente en las industrias de la electrónica y los semiconductores. Esta oblea está diseñada para proporcionar un rendimiento, una precisión y una fiabilidad óptimos, que son esenciales en la fabricación de dispositivos semiconductores.

¿Qué es una oblea de silicio de óxido térmico?

Las obleas de silicio de óxido térmico son obleas de silicio que tienen una capa de dióxido de silicio (SiO2) formada sobre ellas. La capa de óxido térmico (Si+SiO2) o dióxido de silicio se forma sobre una superficie de oblea de silicio desnuda a temperatura elevada en presencia de un oxidante a través del proceso de oxidación térmica. Por lo general, se cultiva en un horno de tubo horizontal con un rango de temperatura de 900 grados ~ 1200 grados, utilizando un método de crecimiento "húmedo" o "seco". El óxido térmico es un tipo de capa de óxido "cultivada". En comparación con la capa de óxido depositada por CVD, es una capa dieléctrica excelente como aislante con mayor uniformidad y mayor resistencia dieléctrica. Para la mayoría de los dispositivos basados en silicio, la capa de óxido térmico es un material importante para pacificar la superficie del silicio para que actúe como barreras de dopaje y dieléctricos de superficie.

Tipos de obleas de silicio de óxido térmico

Óxido térmico húmedo en ambos lados de la oblea
Espesor de la película: 500 Å – 10 µm en ambos lados
Tolerancia de espesor de película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de película: – 320 ± 50 MPa Compresión

01/

Óxido térmico húmedo en un solo lado de la oblea
Espesor de la película: 500 Å – 10,000 Å en ambos lados
Tolerancia de espesor de película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de película: -320±50 MPa Compresión

02/

Óxido térmico seco en ambos lados de la oblea
Espesor de la película: 100Å – 3,000Å en ambos lados
Tolerancia de espesor de película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de película: – 320 ± 50 MPa Compresión

03/

Óxido térmico seco en un solo lado de la oblea
Espesor de la película: 100Å – 3,000Å en ambos lados
Tolerancia de espesor de película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de película: – 320 ± 50 MPa Compresión

04/

Óxido térmico clorado seco con recocido de gas formador
Espesor de la película: 100Å – 3,000Å en ambos lados
Tolerancia de espesor de película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de película: – 320 ± 50 MPa Compresión
Proceso de los lados: Ambos lados

El proceso de fabricación de obleas de silicio de óxido térmico

La oxidación térmica del silicio comienza colocando las obleas de silicio en un bastidor de cuarzo, comúnmente conocido como bote, que se calienta en un horno de oxidación térmica de cuarzo. La temperatura en el horno puede estar entre 950 y 1.250 grados Celsius bajo presión estándar. Se necesita un sistema de control para mantener las obleas dentro de unos 19 grados Celsius de la temperatura deseada.
Se introduce oxígeno o vapor en el horno de oxidación térmica, dependiendo del tipo de oxidación que se esté realizando.
El oxígeno de estos gases se difunde desde la superficie del sustrato a través de la capa de óxido hasta la capa de silicio. La composición y la profundidad de la capa de oxidación se pueden controlar con precisión mediante parámetros como el tiempo, la temperatura, la presión y la concentración de gas.
Una temperatura alta aumenta la tasa de oxidación, pero también aumenta las impurezas y el movimiento de la unión entre las capas de silicio y óxido.

Estas características son particularmente indeseables cuando el proceso de oxidación requiere múltiples pasos, como es el caso de los circuitos integrados complejos. Una temperatura más baja produce una capa de óxido de mayor calidad, pero también aumenta el tiempo de crecimiento.

La solución típica a este problema es calentar las obleas a una temperatura relativamente baja y alta presión para reducir el tiempo de crecimiento.

Un aumento de una atmósfera estándar (atm) reduce la temperatura requerida en unos 20 grados Celsius, suponiendo que todos los demás factores son iguales. Las aplicaciones industriales de oxidación térmica utilizan hasta 25 atm de presión con una temperatura entre 700 y 900 grados Celsius.

La velocidad de crecimiento del óxido es inicialmente muy rápida, pero se vuelve más lenta a medida que el oxígeno debe difundirse a través de una capa de óxido más gruesa para alcanzar el sustrato de silicio. Casi el 46 por ciento de la capa de óxido penetra el sustrato original una vez que se completa la oxidación, y el 54 por ciento de la capa de óxido queda sobre el sustrato.

Preguntas frecuentes

P: ¿Qué es el óxido térmico de una oblea de silicio?

R: La oxidación térmica es el resultado de exponer una oblea de silicio a una combinación de agentes oxidantes y calor para formar una capa de dióxido de silicio (SiO2). Esta capa se forma normalmente con gas hidrógeno y/o oxígeno, aunque se puede utilizar cualquier gas halógeno.

P: ¿Cuáles son las dos causas principales de la oxidación térmica?

A: Este horno de oxidación se somete a oxígeno (oxidación térmica seca) o a moléculas de agua (oxidación térmica húmeda). Las moléculas de oxígeno o agua reaccionan con la superficie de silicio formando gradualmente una fina capa de óxido.

P: ¿Qué sucede cuando una oblea de silicio se coloca en un horno de alta temperatura con oxígeno o vapor?

R: En cambio, la oxidación térmica se consigue haciendo reaccionar una oblea de silicio con oxígeno o vapor a alta temperatura. Los óxidos obtenidos térmicamente suelen mostrar propiedades dieléctricas superiores a las de los óxidos depositados. La estructura de estos óxidos es amorfa, pero están fuertemente unidos a la superficie del silicio.

P: ¿Cuál es la diferencia entre el óxido térmico húmedo y seco?

A: El índice de refracción del óxido térmico HÚMEDO y SECO no es medible. La corriente de fuga es menor y la rigidez dieléctrica es mayor para el óxido térmico SECO que para el HÚMEDO. En espesores muy bajos, inferiores a 100 nm, el espesor del óxido SECO se puede controlar con mayor precisión porque crece más lentamente que el del óxido térmico HÚMEDO.

P: ¿Cuál es el espesor de la capa de óxido en una oblea de silicio?

R: Se denomina "óxido", pero también cuarzo y sílice. (aproximadamente 1,5 nm o 15 Å [angstroms]) que se forma en la superficie de una oblea de silicio siempre que la oblea se expone al aire en condiciones ambientales.

P: ¿Por qué se prefiere la oxidación térmica para hacer crecer SiO2 como óxido de puerta?

R: El crecimiento del dióxido de silicio se realiza mediante oxidación térmica, ya sea en un ambiente seco o húmedo. Para los óxidos de mayor calidad, como los óxidos de compuerta, se prefiere la oxidación seca. Las ventajas son una velocidad de oxidación lenta, un buen control del espesor del óxido en óxidos delgados y valores elevados de campo de ruptura.

P: ¿Cómo se elimina la capa de óxido del silicio?

R: Las capas de dióxido de silicio se pueden eliminar de los sustratos de silicio mediante diversos métodos. Un método consiste en sumergir la oblea en una solución de grabado para eliminar la mayor parte de la capa de óxido de silicio, seguido de lavar la superficie de la oblea con una segunda solución de grabado para eliminar la capa de óxido de silicio residual.

P: ¿Cuál es el propósito de utilizar una capa de óxido cultivada térmicamente sobre una oblea de silicio como capa inicial para nuestra fabricación?

R: El proceso de deposición térmica de óxido sobre silicio es un método de fabricación habitual para dispositivos MEMS. El proceso mejora la superficie de las obleas de silicio, eliminando partículas no deseadas y dando como resultado películas delgadas con alta pureza y resistencia eléctrica.

P: ¿Qué es el óxido térmico de una oblea de silicio?

P: ¿Cuál es el crecimiento térmico del óxido de silicio?

A: El crecimiento del dióxido de silicio se produce un 54 % por encima y un 46 % por debajo de la superficie original del silicio a medida que se consume. La tasa de oxidación húmeda es más rápida que el proceso de oxidación seca. Por lo tanto, el proceso de oxidación seca es adecuado para la formación de una fina capa de óxido para pasivar la superficie del silicio.

P: ¿Qué es la oxidación en seco de la oblea de silicio?

R: Por lo general, se utiliza gas oxígeno de alta pureza para oxidar el silicio. El gas nitrógeno en el sistema de oxidación se utiliza como gas de proceso durante el funcionamiento en vacío del sistema, el aumento de temperatura, los pasos de carga de obleas y la purga de la cámara, porque el nitrógeno no reacciona con el silicio a la temperatura de procesamiento.

P: ¿Por qué se prefiere la oxidación térmica para hacer crecer SiO2 como óxido de puerta?

P: ¿Cómo funciona la oxidación térmica?

R: Un oxidante térmico calienta los COV o los HAP a una temperatura precisa hasta que se oxidan. El proceso de oxidación descompone los contaminantes nocivos en dióxido de carbono y agua. Los oxidantes térmicos son ideales en aplicaciones donde puede haber partículas y donde hay una mayor concentración de COV.

P: ¿Qué tipo de sustrato de silicio se utiliza para la oxidación?

A: Cristal único<100>silicio o silicio con un ligero corte incorrecto (<100>Los mejores resultados se obtienen con una temperatura de ±0,5 grados. Se prefieren niveles moderados de dopaje (resistividad de 1-100 Ωcm). Para la oxidación térmica, son habituales diámetros mayores de hasta 300 mm.

P: ¿Por qué es tan importante el estado de la superficie?

A: Una superficie libre de materia orgánica y una rugosidad mínima permiten una oxidación uniforme y minimizan los defectos en la capa de óxido. Los procedimientos de limpieza tienen como objetivo eliminar la contaminación orgánica y las partículas hasta<100/cm2 level.

P: ¿Qué causa la variación en la tasa de oxidación?

R: Los factores principales son la temperatura y el ambiente oxidante. Sin embargo, parámetros como la concentración de dopaje, la densidad de defectos, la orientación de los cristales y la rugosidad de la superficie también influyen en las tasas de difusión, que rigen la cinética de oxidación.

P: ¿Qué problemas pueden surgir del silicio no uniforme?

A: Las diferencias espaciales en el espesor o la composición degradan el rendimiento y el rendimiento del dispositivo. Los objetivos de uniformidad son generalmente<±1% variation across a wafer.

P: ¿Qué tan puro debe ser el sustrato de silicio?

R: Una alta pureza con una contaminación metálica o cristalográfica mínima es esencial para la calidad dieléctrica de la compuerta. El silicio para nodos avanzados puede utilizar niveles de pureza superiores a 11 nueves (99,999999999 %).

P: ¿Puede el óxido de silicio reemplazar los sustratos de silicio en los dispositivos?

R: No. El óxido de silicio cumple una función aislante y dieléctrica, pero los dispositivos como los transistores requieren un sustrato semiconductor subyacente como el silicio para su funcionamiento. Solo el silicio por sí mismo permite un comportamiento de conmutación eficiente.

P: ¿Cuánto silicio se consume durante la oxidación?

R: Aproximadamente el 44 % del espesor inicial del óxido se debe al consumo de la propia oblea de silicio. El resto se deriva de la fuente de oxígeno. Esta proporción determina la pureza final del óxido.

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