Descripción

Parámetros técnicos

Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd.:¡Su confiable fabricante de obleas de silicio de 300 mm!

Fundada en 2006 por un científico de ingeniería y ciencia de materiales en Ningbo, China, Sibranch Microelectronics tiene como objetivo proporcionar obleas semiconductoras y servicios en todo el mundo. Nuestros productos principales incluyen obleas de silicio estándar SSP (pulido de un solo lado), DSP (pulido de doble lado), obleas de silicio de prueba y obleas de silicio de primera calidad, obleas SOI (silicio sobre aislante) y obleas en rollo de monedas con un diámetro de hasta 12 pulgadas, CZ/MCZ/FZ/NTD, casi cualquier orientación, corte, resistividad alta y baja, obleas ultra-planas, ultra-finas y gruesas, etc.

Servicio líder

Nos comprometemos a innovar constantemente nuestros productos para ofrecer a los clientes extranjeros una gran cantidad de productos de alta-calidad para superar la satisfacción del cliente. También podemos brindar servicios personalizados de acuerdo con los requisitos de los clientes, como tamaño, color, apariencia, etc. Podemos ofrecer el precio más favorable y productos de alta-calidad.

Calidad garantizada

Hemos estado investigando e innovando continuamente para satisfacer las necesidades de los diferentes clientes. Al mismo tiempo, siempre nos adherimos a un estricto control de calidad para garantizar que la calidad de cada producto cumpla con los estándares internacionales.

Amplios países de ventas

Nos centramos en las ventas en los mercados extranjeros. Nuestros productos se exportan a Europa, América, el Sudeste Asiático, Medio Oriente y otras regiones, y son bien recibidos por clientes de todo el mundo.

Varios tipos de productos

Nuestra empresa ofrece servicios personalizados de procesamiento de obleas de silicio adaptados para satisfacer las necesidades específicas de nuestros clientes. Estos incluyen Si Wafer BackGrinding, Dicing, DownSizing, Edge Grinder y MEMS, entre otros. Nos esforzamos por ofrecer soluciones personalizadas que superen las expectativas y garanticen la satisfacción del cliente.

Tipos de productos

Oblea de silicio CZ

Las obleas de silicio CZ se cortan a partir de lingotes de silicio monocristalinos extraídos mediante el método de crecimiento Czochralski CZ, que se utiliza más ampliamente en la industria electrónica para cultivar cristales de silicio a partir de grandes lingotes de silicio cilíndricos utilizados para fabricar dispositivos semiconductores. En este proceso, se introduce una semilla de silicio cristalino alargada con una tolerancia de orientación precisa en un baño de silicio fundido con temperatura controlada con precisión. El cristal semilla se extrae lentamente de la masa fundida a un ritmo estrictamente controlado y la solidificación del cristal de los átomos de la fase líquida se produce en la interfaz. Durante este proceso de extracción, el cristal semilla y el crisol giran en direcciones opuestas, formando un gran silicio monocristalino con una estructura cristalina perfecta de la semilla.

Oblea de óxido de silicio

La oblea de óxido de silicio es un material avanzado y esencial que se utiliza en diversas industrias y aplicaciones de alta-tecnología. Es una sustancia cristalina de alta-pureza producida mediante el procesamiento de materiales de silicio de alta-calidad, lo que la convierte en un sustrato ideal para muchos tipos diferentes de aplicaciones electrónicas y fotónicas.

Oblea ficticia (Coinroll)

Las obleas ficticias (también llamadas obleas de prueba) son obleas que se utilizan principalmente para experimentos y pruebas y son diferentes de las obleas generales para productos. Por lo tanto, las obleas recuperadas se utilizan principalmente como obleas falsas (obleas de prueba).

Oblea de silicio recubierta de oro

Las obleas de silicio recubiertas de oro-y los chips de silicio revestidos de oro-se utilizan ampliamente como sustratos para la caracterización analítica de materiales. Por ejemplo, los materiales depositados sobre obleas recubiertas de oro-pueden analizarse mediante elipsometría, espectroscopia Raman o espectroscopia infrarroja (IR) debido a la alta-reflectividad y las propiedades ópticas favorables del oro.

Oblea epitaxial de silicio

Las obleas epitaxiales de silicio son muy versátiles y se pueden fabricar en una variedad de tamaños y espesores para adaptarse a los diferentes requisitos de la industria. También se utilizan en una variedad de aplicaciones, incluidos circuitos integrados, microprocesadores, sensores, electrónica de potencia y energía fotovoltaica.

Óxido Térmico Seco Y Húmedo

Fabricado con la última tecnología y está diseñado para ofrecer confiabilidad y consistencia en el rendimiento incomparables. Thermal Oxide Dry and Wet es una herramienta esencial para los fabricantes de semiconductores de todo el mundo, ya que proporciona una manera eficiente de producir obleas de alta-calidad que cumplen con todos los exigentes requisitos de la industria.

Oblea de silicio de 300 mm

Esta oblea tiene un diámetro de 300 milímetros, lo que la hace más grande que los tamaños de oblea tradicionales. Este tamaño más grande lo hace más rentable-y eficiente, lo que permite una mayor producción sin sacrificar la calidad.

Oblea de silicio de 100 mm

La oblea de silicio de 100 mm es un producto de alta-calidad que se utiliza ampliamente en las industrias de la electrónica y los semiconductores. Esta oblea está diseñada para proporcionar un rendimiento, precisión y confiabilidad óptimos que son esenciales en la fabricación de dispositivos semiconductores.

Oblea de silicio de 200 mm

La oblea de silicio de 200 mm también es versátil en sus aplicaciones, con aplicaciones en investigación y desarrollo, así como en fabricación de alto-volumen. Se puede personalizar según sus especificaciones exactas, con opciones para obleas delgadas o gruesas, superficies pulidas o sin pulir y otras características basadas en sus necesidades específicas.

¿Qué es la oblea de silicio de óxido térmico?

Las obleas de silicio de óxido térmico son obleas de silicio que tienen una capa de dióxido de silicio (SiO2) formada sobre ellas. La capa de óxido térmico (Si+SiO2) o dióxido de silicio se forma sobre la superficie de una oblea de silicio desnuda a temperatura elevada en presencia de un oxidante mediante el proceso de oxidación térmica. Por lo general, se cultiva en un horno de tubo horizontal con un rango de temperatura de 900 grados a 1200 grados, utilizando un método de crecimiento "húmedo" o "seco". El óxido térmico es una especie de capa de óxido "crecida". En comparación con la capa de óxido depositada por CVD, es una excelente capa dieléctrica como aislante con mayor uniformidad y mayor rigidez dieléctrica. Para la mayoría de los dispositivos basados en silicio-, la capa de óxido térmico es un material importante para pacificar la superficie de silicio para que actúe como barreras dopantes y dieléctricos de superficie.

Tipos de oblea de silicio de óxido térmico

Óxido térmico húmedo en ambos lados de la oblea
Espesor de la película: 500 Å – 10 µm en ambos lados
Tolerancia del espesor de la película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de la película: – 320±50 MPa Compresivo

01/

Óxido térmico húmedo en un solo lado de la oblea
Espesor de la película: 500Å – 10.000Å en ambos lados
Tolerancia del espesor de la película: Objetivo ±5%
Estrés de la película: -320±50 MPa Compresivo

02/

Óxido térmico seco en ambos lados de la oblea
Espesor de la película: 100Å – 3000Å en ambos lados
Tolerancia del espesor de la película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de la película: – 320±50 MPa Compresivo

03/

Óxido térmico seco en un solo lado de la oblea
Espesor de la película: 100Å – 3000Å en ambos lados
Tolerancia del espesor de la película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de la película: – 320±50 MPa Compresivo

04/

Óxido térmico clorado seco con recocido de gas de formación
Espesor de la película: 100Å – 3000Å en ambos lados
Tolerancia del espesor de la película: Objetivo ±5%
Esfuerzo de la película: – 320±50 MPa Compresivo
Proceso de lados: ambos lados

El proceso de fabricación de oblea de silicio de óxido térmico

La oxidación térmica del silicio comienza colocando las obleas de silicio en una rejilla de cuarzo, comúnmente conocida como barco, que se calienta en un horno de oxidación térmica de cuarzo. La temperatura en el horno puede oscilar entre 950 y 1250 grados Celsius bajo presión estándar. Se necesita un sistema de control para mantener las obleas a unos 19 grados Celsius de la temperatura deseada.
En el horno de oxidación térmica se introduce oxígeno o vapor, dependiendo del tipo de oxidación que se realice.
Luego, el oxígeno de estos gases se difunde desde la superficie del sustrato a través de la capa de óxido hasta la capa de silicio. La composición y profundidad de la capa de oxidación se pueden controlar con precisión mediante parámetros como el tiempo, la temperatura, la presión y la concentración de gas.
Una temperatura alta aumenta la velocidad de oxidación, pero también aumenta las impurezas y el movimiento de la unión entre las capas de silicio y óxido.

Estas características son particularmente indeseables cuando el proceso de oxidación requiere múltiples pasos, como es el caso de los circuitos integrados complejos. Una temperatura más baja produce una capa de óxido de mayor calidad, pero también aumenta el tiempo de crecimiento.

La solución típica a este problema es calentar las obleas a una temperatura relativamente baja y una presión alta para reducir el tiempo de crecimiento.

Un aumento de una atmósfera estándar (atm) disminuye la temperatura requerida en unos 20 grados Celsius, suponiendo que todos los demás factores sean iguales. Las aplicaciones industriales de oxidación térmica utilizan hasta 25 atm de presión con una temperatura entre 700 y 900 grados Celsius.

La tasa de crecimiento del óxido es inicialmente muy rápida, pero se ralentiza a medida que el oxígeno debe difundirse a través de una capa de óxido más gruesa para llegar al sustrato de silicio. Casi el 46 por ciento de la capa de óxido penetra el sustrato original una vez completada la oxidación, dejando el 54 por ciento de la capa de óxido encima del sustrato.

Preguntas frecuentes

P: ¿Qué es el óxido térmico de una oblea de silicio?

R: La oxidación térmica es el resultado de exponer una oblea de silicio a una combinación de agentes oxidantes y calor para formar una capa de dióxido de silicio (SiO2). Esta capa se fabrica más comúnmente con hidrógeno y/u oxígeno gaseoso, aunque se puede utilizar cualquier gas halógeno.

P: ¿Cuáles son las dos causas principales de la oxidación térmica?

R: Este horno de oxidación está sujeto a oxígeno (oxidación térmica seca) o a moléculas de agua (oxidación térmica húmeda). Las moléculas de oxígeno o agua reaccionan con la superficie del silicio formando gradualmente una fina capa de óxido.

P: ¿Qué sucede cuando se coloca una oblea de silicio en un horno de alta temperatura con oxígeno o vapor?

R: Por el contrario, la oxidación térmica se logra haciendo reaccionar una oblea de silicio con oxígeno o vapor a alta temperatura. Los óxidos cultivados térmicamente generalmente muestran propiedades dieléctricas superiores en comparación con los óxidos depositados. La estructura de estos óxidos es amorfa; sin embargo, están fuertemente unidos a la superficie del silicio.

P: ¿Cuál es la diferencia entre el óxido térmico seco y húmedo?

R: El índice de refracción del óxido térmico HÚMEDO y SECO no es significativamente diferente. La corriente de fuga es menor y la rigidez dieléctrica es mayor para el óxido térmico SECO que para el HÚMEDO. En espesores muy bajos, menos de 100 nm, el espesor del óxido SECO se puede controlar con mayor precisión porque crece más lentamente que el óxido térmico HÚMEDO.

P: ¿Cuál es el espesor de la capa de óxido de una oblea de silicio?

R: Se le conoce como "óxido", pero también como cuarzo y sílice. (aproximadamente 1,5 nm o 15 Å [angstroms]) que se forma en la superficie de una oblea de silicio siempre que la oblea se expone al aire en condiciones ambientales.

P: ¿Por qué se prefiere la oxidación térmica para hacer crecer SiO2 como óxido de puerta?

R: El crecimiento del dióxido de silicio se realiza mediante oxidación térmica, ya sea en un ambiente seco o húmedo. Para los óxidos de mayor calidad, como los óxidos de puerta, se prefiere la oxidación seca. Las ventajas son una velocidad de oxidación lenta, un buen control del espesor del óxido en óxidos finos y valores altos del campo de descomposición.

P: ¿Cómo se elimina la capa de óxido del silicio?

R: Las capas de dióxido de silicio se pueden eliminar de los sustratos de silicio mediante varios métodos. Un método implica remojar la oblea en una solución de grabado para eliminar la mayor parte de la capa de óxido de silicio, seguido de lavar la superficie de la oblea con una segunda solución de grabado para eliminar la capa de óxido de silicio residual.

P: ¿Cuál es el propósito de utilizar una capa de óxido cultivada térmicamente sobre una oblea de silicio como capa inicial para nuestra fabricación?

R: El proceso de deposición térmica de óxido sobre silicio es un método de fabricación común para dispositivos MEMS. El proceso mejora la superficie de las obleas de silicio, eliminando partículas no deseadas y dando como resultado películas delgadas con alta resistencia eléctrica y pureza.

P: ¿Qué es el óxido térmico de una oblea de silicio?

P: ¿Cuál es el crecimiento térmico del óxido de silicio?

R: El crecimiento del dióxido de silicio ocurre un 54% por encima y un 46% por debajo de la superficie original del silicio a medida que se consume el silicio. La velocidad de oxidación húmeda es más rápida que el proceso de oxidación seca. Por lo tanto, el proceso de oxidación seca es adecuado para la formación de una fina capa de óxido para pasivar la superficie del silicio.

P: ¿Qué es la oxidación seca de una oblea de silicio?

R: Normalmente, se utiliza oxígeno gaseoso de alta-pureza para oxidar el silicio. El gas nitrógeno en el sistema de oxidación se utiliza como gas de proceso durante el sistema inactivo, el aumento de temperatura, los pasos de carga de obleas y la purga de la cámara, porque el nitrógeno no reacciona con el silicio a la temperatura de procesamiento.

P: ¿Por qué se prefiere la oxidación térmica para hacer crecer SiO2 como óxido de puerta?

P: ¿Cómo funciona la oxidación térmica?

R: Un oxidador térmico calienta los COV o HAP a una temperatura precisa hasta que se oxidan. El proceso de oxidación descompone los contaminantes dañinos en dióxido de carbono y agua. Los oxidantes térmicos son ideales en aplicaciones donde pueden estar presentes partículas y donde hay una mayor concentración de COV.

P: ¿Qué tipo de sustrato de silicio se utiliza para la oxidación?

R: monocristal<100>silicona o silicona con ligeros errores de corte (<100>±0,5 grados) proporciona los mejores resultados. Se prefieren niveles de dopaje moderados (resistividad de 1 a 100 Ωcm). Para la oxidación térmica son habituales diámetros mayores, de hasta 300 mm.

P: ¿Por qué es tan importante la condición de la superficie?

R: Una superficie libre-de materia orgánica y una rugosidad mínima permiten una oxidación uniforme y minimiza los defectos en la capa de óxido. Los procedimientos de limpieza tienen como objetivo eliminar la contaminación orgánica y las partículas hasta<100/cm2 level.

P: ¿Qué causa la variación en la tasa de oxidación?

R: Los factores principales son la temperatura y el ambiente oxidante. Sin embargo, parámetros como la concentración de dopaje, la densidad de defectos, la orientación de los cristales y la rugosidad de la superficie también afectan las tasas de difusión que gobiernan la cinética de oxidación.

P: ¿Qué problemas pueden surgir debido al silicio no-uniforme?

R: Las diferencias espaciales en espesor o composición degradan el rendimiento y el rendimiento del dispositivo. Los objetivos de uniformidad generalmente son<±1% variation across a wafer.

P: ¿Qué tan puro debe ser el sustrato de silicio?

R: Una alta pureza con una mínima contaminación metálica o cristalográfica es esencial para la calidad dieléctrica de la compuerta. El silicio para nodos avanzados puede utilizar niveles de pureza superiores a 11 nueves (99,999999999%).

P: ¿Puede el óxido de silicio reemplazar los sustratos de silicio en los dispositivos?

R: No. El óxido de silicio cumple una función dieléctrica y de aislamiento, pero dispositivos como los transistores requieren un sustrato semiconductor subyacente como el silicio para su funcionalidad. Sólo el propio silicio permite un comportamiento de conmutación eficiente.

P: ¿Cuánto silicio se consume durante la oxidación?

R: Aproximadamente el 44% del espesor inicial del óxido resulta del consumo de la propia oblea de silicio. El equilibrio proviene de la fuente de oxígeno. Esta relación determina la pureza final del óxido.

Por qué elegirnos

Nuestros productos provienen exclusivamente de los cinco principales fabricantes del mundo y de las principales fábricas nacionales. Respaldado por equipos técnicos nacionales e internacionales altamente calificados y estrictas medidas de control de calidad.

Nuestro objetivo es brindar a los clientes soporte integral personalizado, garantizando canales de comunicación fluidos que sean profesionales, oportunos y eficientes. Ofrecemos una cantidad mínima de pedido baja y garantizamos una entrega rápida en 24 horas.

Espectáculo de fábrica

Nuestro amplio inventario consta de 1000+ productos, lo que garantiza que los clientes puedan realizar pedidos por tan solo una pieza. Nuestros equipos propios para cortar en cubitos y molido y la plena cooperación en la cadena industrial global nos permiten un envío rápido para garantizar la satisfacción y conveniencia del cliente en un solo lugar.

Nuestro Certificado

Nuestra empresa se enorgullece de las diversas certificaciones que hemos obtenido, incluido nuestro certificado de patente, el certificado ISO9001 y el certificado de Empresa Nacional de Alta Tecnología. Estas certificaciones representan nuestra dedicación a la innovación, la gestión de la calidad y el compromiso con la excelencia.