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Sustrato de arseniuro de galio

Sustrato de arseniuro de galio

Uno de los principales beneficios del sustrato de arseniuro de galio es su alta movilidad de electrones. Tiene una mayor movilidad de electrones en comparación con otros materiales semiconductores como el silicio, lo que lo hace ideal para dispositivos de alta velocidad y bajo ruido.
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Descripción del Producto

 

Uno de los principales beneficios del sustrato de arseniuro de galio es su alta movilidad de electrones. Tiene una mayor movilidad de electrones en comparación con otros materiales semiconductores como el silicio, lo que lo hace ideal para dispositivos de alta velocidad y bajo ruido. Además, tiene una banda prohibida directa que le permite producir diodos emisores de luz eficientes que emiten en las regiones visible e infrarroja.

 

Otra ventaja de este sustrato es su alta conductividad térmica, que ayuda a disipar el calor rápidamente. Esta característica es especialmente útil en aplicaciones de electrónica de potencia donde la disipación de calor es crítica. El sustrato de arseniuro de galio también tiene un alto voltaje de ruptura, lo que garantiza su confiabilidad incluso en condiciones de alto voltaje.

 

Dimensiones y tolerancias estándar para oblea de GaAs de 150 mm de diámetro

Propiedad

Dimensión

Tolerancia

Unidades

Diámetro

150

+/-0.5

milímetros

Espesor, punto central

     

Opción A

675

+/-25

μm

Opción B

550

+/-25

μm

Orientación de la muesca

[010]

+/-2

grados

Profundidad de muesca

1

+0.25/-0.0

milímetros

       

Dimensiones y tolerancias estándar para oblea de GaAs de 100 mm de diámetro

Propiedad

Dimensión

Tolerancia

Unidades

Diámetro

100

+/-0.5

milímetros

Espesor, punto central

675

+/-25

μm

Longitud plana primaria

18

+/-2

milímetros

Longitud plana secundaria

18

+/-2

milímetros

Opción plana US/SEMI y E/J disponible

     
       

Dimensiones y tolerancias estándar para oblea de GaAs de 200 mm de diámetro

Propiedad

Dimensión

Tolerancia

Unidades

Diámetro

200

+/-0.5

milímetros

Espesor, punto central

625

+/-25

μm

Orientación de la muesca

[010]

+/-2

grados

Profundidad de muesca

1

+0.25/-0.0

milímetros

       

Dimensiones y tolerancias estándar para oblea de GaAs de 3 pulgadas de diámetro

Propiedad

Dimensión

Tolerancia

Unidades

Diámetro

76.2

+/-0.5

milímetros

Espesor, punto central

625

+/-25

μm

Longitud plana primaria

22

+/-2

milímetros

Longitud plana secundaria

11

+/-2

milímetros

Opción plana US/SEMI y E/J disponible

     

 

Imagen del producto

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Por qué elegirnos

 

Nuestros productos provienen exclusivamente de los cinco principales fabricantes del mundo y de las principales fábricas nacionales. Respaldado por equipos técnicos nacionales e internacionales altamente calificados y estrictas medidas de control de calidad.

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Nuestro Certificado

 

Nuestra empresa se enorgullece de las diversas certificaciones que hemos obtenido, incluido nuestro certificado de patente, el certificado ISO9001 y el certificado de Empresa Nacional de Alta Tecnología. Estas certificaciones representan nuestra dedicación a la innovación, la gestión de la calidad y el compromiso con la excelencia.

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