Introducción básica de la oblea de silicio SOI

La empresa puede ofrecer a los clientes diversas especificaciones y obleas de silicio SOI (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator) de alta calidad, que son adecuadas para los clientes en una amplia gama de aplicaciones que incluyen MEMS, dispositivos de potencia, sensores de presión y fabricación de circuitos integrados CMOS. Las obleas SOI proporcionan una buena solución para dispositivos de alta velocidad y baja potencia, y se consideran ampliamente como una nueva solución para dispositivos de RF y alto voltaje. La oblea SOI es una estructura tipo sándwich con tres capas; incluida la capa superior (capa del dispositivo), la capa intermedia de óxido enterrada (capa aislante de SiO2) y el sustrato inferior (silicio a granel). Las obleas SOI se producen utilizando el método SIMOX y la tecnología de unión de obleas, de modo que se pueden lograr capas de dispositivo más delgadas y precisas, espesor uniforme y baja densidad de defectos.