Oxidación térmica de obleas de silicio.Es un proceso en el que se forma una capa de dióxido de silicio en la superficie de una oblea de silicio a alta temperatura. Este proceso se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores y microelectrónica.
Durante el proceso, la oblea de silicio se coloca en un horno y se calienta a alta temperatura en presencia de oxígeno o vapor de agua. A medida que aumenta la temperatura, el oxígeno o el vapor de agua reaccionan con los átomos de silicio en la superficie de la oblea, formando una capa de dióxido de silicio.
El espesor de la capa de óxido se puede controlar ajustando la temperatura y la duración del proceso. La capa de óxido resultante tiene una superficie lisa y una alta pureza, lo cual es esencial para la producción de dispositivos semiconductores de alta calidad.
El proceso de oxidación térmica es un paso crítico en la producción de dispositivos semiconductores, ya que proporciona una capa protectora que puede prevenir la contaminación y mejorar la confiabilidad y el rendimiento de los dispositivos. Además, la capa de óxido puede actuar como aislante, permitiendo la creación de diferentes regiones de material semiconductor con diferentes propiedades eléctricas.
En resumen, la oxidación térmica de obleas de silicio es un proceso crucial en la fabricación de dispositivos semiconductores y microelectrónica. Proporciona una capa de óxido uniforme y de alta calidad que mejora el rendimiento y la confiabilidad de los dispositivos y permite la creación de diferentes regiones de material semiconductor con diferentes propiedades eléctricas.