Actualización de inventario de obleas de silicio de 4,6,8 pulgadas _202506

Jun 20, 2025 Dejar un mensaje

LOTE	PRODUCTO	DIÁMETRO	CRISTAL	TIPO	Dopante	ORIENTACIÓN	ESPESOR	RESISTIVIDAD
501061S	Alabama	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	200-300 A Ti seguido de 8000A PVD pulverizó al-CU 0.5%
501201	Epitaxial	200	Cz	P	B	100	700~750	<0.1	P/B T1 ~ 50/R1 ~ 50, MFG 22- May -2024
501202	Epitaxial	200	Cz	N	Ph rojo	100	700~750	0~0.05	N/pH T1 ~ 10/R0.01 ~ 1, MFG 27- May -2024
522101	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	PULIDO	200	Cz	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	PULIDO	200	Cz	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	LTO+NOLM
522112	PULIDO	200	N / A	N	Como	100	725±15	0.001~0.003
522113	PULIDO	200	Cz	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±50	1~65
522115	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	Menos de o igual a 40
522116	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	PULIDO	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	PULIDO	200	Cz	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	PULIDO	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Grabado	200	N / A	N / A	N / A	N / A	745	N / A	LTO+NOLM
522125	PULIDO	200	Cz	P	B	100	705~745	0.01~0.02	LTO+NOLM
SO617PRAU	Pulverizado au	150	Cz	P	B	100	500±15	10~25	TI30NM+AU100NM
PS241025006	Soi	200	Cz	P	B	100	650±5	8~12	Dispositivo: 30 ± 0 . 5 μm, 0.01 ~ 0.02 ohm.cm / caja: 1 ± 0.1 μm, muesca<110>
503141	PULIDO	100	Cz	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 2 ± 0.5 μm / caja: 1000 nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 10 ± 0.5 μm / caja: 1000 nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	Cz	N	Ph	100	725±10	1~10	Dispositivo: 3 ± 0.5 μm / caja: 1000 nm ± 5%
505061	JGS1	100					555±7		DSP, SQ ＜ 0.5 nm, 10/5, TTV<5μm, Flat 32.5mm
505301	Óxido+nitruro	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	Óxido térmico de 3μm +300 NM LPCVD Nitruro
203171PW3PT	PT pulverizado	150	Cz	N	Ph	100	675±25	0.001~0.005	3000A óxido térmico+TI50NM+PT 200NM
506162	PULIDO	200	Cz	N	Ph	100	700~750	1000~12000	N/pH T1 ~ 10/R0.01 ~ 1, MFG 27- May -2024