Descripción

Parámetros técnicos

Descripción del Producto

Nuestras obleas de SiC de 200 mm son una nueva e interesante incorporación a nuestra línea de productos. Fabricadas con carburo de silicio de alta calidad, estas obleas ofrecen un rendimiento incomparable y una calidad superior. Nuestras obleas están diseñadas para cumplir con los exigentes requisitos de los procesos de fabricación modernos y son ideales para su uso en una amplia gama de aplicaciones.

Con 200 mm, estas obleas son una de las más grandes disponibles, lo que significa que ofrecen una escalabilidad mejorada y costos más bajos. Tienen un acabado superficial de alta calidad, lo que garantiza un excelente rendimiento y fiabilidad durante largos períodos de tiempo. Además, tienen una excelente conductividad térmica, lo que significa que pueden usarse en ambientes de alta temperatura sin perder su rendimiento.

Nuestras obleas de SiC de 200 mm son muy versátiles y se pueden utilizar en una variedad de aplicaciones. Son ideales para su uso en la fabricación de semiconductores, donde sus excelentes propiedades térmicas y su alto grado de confiabilidad los convierten en una opción popular. También son ideales para su uso en electrónica de potencia avanzada, ya que pueden funcionar a altos voltajes y temperaturas sin perder su rendimiento.

4H SiC TIPO N 100MM, 350ESPECIFICACIÓN DE LA OBLEA
Número de artículo	W4H100N-4-PO (o CO)-350
Descripción	Sustrato de SiC 4H
politipo	4H
Diámetro	(100+0.0-0.5) mm
Espesor	(350±25) μm (grado de ingeniería ±50μm)
Tipo de transportista	tipo n
dopante	Nitrógeno
Resistividad (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Grado de ingeniería<0.025Ω▪cm)
Orientación de la oblea	(4+0.5) grado
	Grado de ingeniería	Grado de producción	Grado de producción
	2.1	2.2	2.3
Densidad del microtubo	Menor o igual a 30cm-²	Menor o igual a 10cm-²	Menor o igual a 1cm-²
Área libre de microtubos	No especificado	Mayor o igual al 96%	Mayor o igual al 96%
Orientación plana (OF)
Orientación	Paralelo {1-100} ±5 grados
Orientación longitud plana	(32,5±2,0) mm
piso de identificación (IF)
Orientación	Si-face: 90 grados en sentido horario, desde orientación plana ±5 grados
longitud plana de identificación	(18.0+2.0) mm
Superficie	Opción 1: Pulido estándar Si-face Pulido óptico Epi-ready C-face
	Opción 2: Si-face CMP Epi-ready, pulido óptico C-face
Paquete	Caja de envío de múltiples obleas (25)
	(Paquete de oblea individual a pedido)

6H SiC TIPO N, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 2"
Número de artículo	W6H51N-0-PM-250-S
Descripción	Sustrato de SiC 6H de grado de producción
politipo	6H
Diámetro	(50,8±38) milímetros
Espesor	(250±25) micras
Tipo de transportista	tipo n
dopante	Nitrógeno
Resistividad (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Orientación de la oblea	(0+0.5) grado
Densidad del microtubo	Menor o igual a 100cm-²
Orientación orientación plana	Paralelo {1-100} ±5 grados
Orientación longitud plana	(15,88±1,65) milímetros
Orientación plana de identificación.	Cara Si: 90 grados en sentido horario. orientación del ceño plano ±5 grados
longitud plana de identificación	(8+1.65) mm
Superficie	Pulimento estándar Si-face Epi-ready
Superficie	Cara C mate
Paquete	Paquete de oblea única o caja de envío de oblea múltiple

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