Descripción

Parámetros técnicos

Descripción del Producto

La oblea simulada de SiC es un producto de alta calidad que se utiliza ampliamente en la industria de los semiconductores. Es una oblea de carburo de silicio diseñada específicamente para probar y depurar dispositivos semiconductores. La oblea ficticia de SiC es una herramienta importante para los fabricantes de semiconductores, ya que les ayuda a garantizar la calidad y la integridad de sus productos.

Una de las principales ventajas de la oblea simulada de SiC es su alta pureza y uniformidad. Esto garantiza que proporcione resultados precisos y confiables en las pruebas y depuración de dispositivos semiconductores. La oblea también es muy duradera y resistente a daños, lo que la convierte en una opción ideal para su uso en entornos operativos hostiles.

Otra ventaja de la oblea simulada de SiC es su versatilidad. Se puede utilizar en una amplia gama de aplicaciones de semiconductores, incluidos dispositivos de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica. Esto lo convierte en una herramienta valiosa para los fabricantes de semiconductores que necesitan probar una variedad de dispositivos.

4H SiC TIPO N 100MM, 350ESPECIFICACIÓN DE LA OBLEA
Número de artículo	W4H100N-4-PO (o CO)-350
Descripción	Sustrato de SiC 4H
politipo	4H
Diámetro	(100+0.0-0.5) mm
Espesor	(350±25) μm (grado de ingeniería ±50μm)
Tipo de transportista	tipo n
dopante	Nitrógeno
Resistividad (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Grado de ingeniería<0.025Ω▪cm)
Orientación de la oblea	(4+0.5) grado
	Grado de ingeniería	Grado de producción	Grado de producción
	2.1	2.2	2.3
Densidad del microtubo	Menor o igual a 30cm-²	Menor o igual a 10cm-²	Menor o igual a 1cm-²
Área libre de microtubos	No especificado	Mayor o igual al 96%	Mayor o igual al 96%
Orientación plana (OF)
Orientación	Paralelo {1-100} ±5 grados
Orientación longitud plana	(32,5±2,0) mm
piso de identificación (IF)
Orientación	Si-face: 90 grados en sentido horario, desde orientación plana ±5 grados
longitud plana de identificación	(18.0+2.0) mm
Superficie	Opción 1: Pulido estándar Si-face Pulido óptico Epi-ready C-face
	Opción 2: Si-face CMP Epi-ready, pulido óptico C-face
Paquete	Caja de envío de múltiples obleas (25)
	(Paquete de oblea individual a pedido)

6H SiC TIPO N, ESPECIFICACIÓN DE OBLEA DE 2"
Número de artículo	W6H51N-0-PM-250-S
Descripción	Sustrato de SiC 6H de grado de producción
politipo	6H
Diámetro	(50,8±38) milímetros
Espesor	(250±25) micras
Tipo de transportista	tipo n
dopante	Nitrógeno
Resistividad (RT)	0.06-0.10Ω▪cm
Orientación de la oblea	(0+0.5) grado
Densidad del microtubo	Menor o igual a 100cm-²
Orientación orientación plana	Paralelo {1-100} ±5 grados
Orientación longitud plana	(15,88±1,65) milímetros
Orientación plana de identificación.	Cara Si: 90 grados en sentido horario. orientación del ceño plano ±5 grados
longitud plana de identificación	(8+1.65) mm
Superficie	Pulido estándar Si-face Epi-ready
Superficie	Cara C mate
Paquete	Paquete de oblea única o caja de envío de oblea múltiple

Imagen del producto

SiC GaN Wafer

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