Descripción del Producto
SOI significa silicio sobre aislante. Una oblea SOI se compone de 3 capas básicas, una capa de dispositivo, una capa de CAJA y una capa de mango. La capa BOX, también llamada capa de Óxido Enterrado, está atrapada entre la capa Dispositivo y la capa Mango.
Los transistores se forman dentro de la capa superior del dispositivo, que son el centro de la velocidad y eficiencia de la oblea SOI. Estos transistores no sólo son excelentes cuando se trata de conservar energía, sino que también están protegidos de factores externos como rayos cósmicos e interferencias radiactivas, lo que reduce la pérdida de datos.
Las obleas de silicio SOI son ideales para circuitos integrados de alto rendimiento, como microprocesadores, porque proporcionan una base más estable y confiable para los circuitos. Además, son muy adecuados para dispositivos de comunicación inalámbrica, que requieren un bajo consumo de energía y una transferencia de datos de alta velocidad para funcionar de manera eficiente.
En general, las obleas de silicio SOI ofrecen ventajas significativas sobre las obleas de silicio tradicionales, lo que las convierte en un componente fundamental en la fabricación de productos electrónicos modernos.
Podemos proporcionar un diámetro de 2"-12", un espesor de silicio superior de 55 nm-500um y un espesor de capa de oxígeno enterrado de 175nm-16um.
Sibranch ofrece obleas SOI de los siguientes tipos:
Oblea SOI gruesa
Este tipo de oblea tiene un espesor de dispositivo de 1 µm a 300 µm.
Oblea SOI ultrafina
Este tipo de oblea tiene un espesor de dispositivo.<500nm.
Oblea SOI ultrauniforme
La uniformidad del espesor del dispositivo puede ser tan baja como ±0.5 µm para SOI grueso y ±10 nm para SOI ultradelgado.
Oblea SOI ultraplana
Este tipo de SOI tiene muy bajo BOW/WARP/TTV para aplicaciones específicas.
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Diámetro |
76, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 100 mm, 300 mm |
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Grosor del dispositivo y tolerancia máxima |
76 mm, 100 mm, 125 mm y 150 mm |
2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm |
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50-150 +/- 1μm |
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>150 +/- 2μm |
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6-50 +/- .5μm |
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200 milímetros |
50-150 +/- 1μm |
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>150 +/- 2μm |
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Espesor de la capa de óxido |
Estándar: 0,5 μm, 1 μm y 2 μm |
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Opcional – 0,1 – 10 μm |
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Grosor de la oblea del mango |
3", 100 mm – 300 μm y más |
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125 mm, 150 mm – 400 μm y más |
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200 mm – 500 μm y más |
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Tolerancia: Estándar +/- 25μm |
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Especial +/- 5μm |
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Dopantes |
Tipo N: fósforo, arsénico y antimonio |
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Tipo P – Boro |
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Resistividades |
La mayoría de las resistividades están disponibles bajo pedido, incluida la zona flotante de alta resistividad y la CZ de baja resistividad. |
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Orientación |
<1-0-0>Estándar,<1-1-1>y<1-1-0>Opcional bajo petición |
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Tolerancia estándar +/- 0,5 grados |
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Tolerancia especial tan baja como +/- 0,1 grados |
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Orientación plana |
Todos los pisos/muescas principales están en el<110>Plano +/-.5 grados |
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Especificaciones más estrictas disponibles bajo petición |
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Los pisos menores semi estándar son estándar en 76,2 y 100 mm. |
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Finalizar |
Estándar pulido de doble cara |
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Acabados de la parte trasera opcionales: nano pulido u óxido |
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Recubrimientos |
Se pueden suministrar óxido y nitruro en ambos lados de la oblea. |
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Capa enterrada implantada con iones opcional |
Se puede implantar una capa enterrada en la capa activa en la interfaz de unión. Verifique si el dopante deseado, la concentración de dopante y las energías deseadas están disponibles. Este servicio es proporcionado por un contratista externo. |
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Por qué elegirnos
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