Actualización del inventario de obleas de silicio de 4,6,8 pulgadas_20240311 SOI

Mar 12, 2024 Dejar un mensaje

LOTE	PRODUCTO	DIÁMETRO	CRISTAL	TIPO	DOPANTE	ORIENTACIÓN	ESPESOR	RESISTIVIDAD
G8P131	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Dispositivo: 55 ± 7,5 nm, 8 ~ 12 ohm.cm / Caja: 145 ± 10 nm, muesca<110>
C19404-3-2	ASIQUE	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Dispositivo: 210~230nm, 8~12 ohm.cm/Caja: 2950~3050nm
G8P238S	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Dispositivo: 200~240nm, 8~12 ohm.cm/Caja: 1950~2050nm
G8P217	ASIQUE	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Dispositivo: 210~230 nm, P<100>, 8~12 ohm.cm/Caja: 1950~2050nm
G8P500	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositivo: 500 ± 50 nm / Caja: 2950 ~ 3050 nm, orientación de muesca<110>
G8P600	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositivo: 600 ± 60 nm / Caja: 2950 ~ 3050 nm, orientación de muesca<110>
G8P340	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Dispositivo: 340 ± 25 nm / Caja: 2900 ~ 3100 nm, orientación de muesca<110>
G8P288	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	>1000	Dispositivo: 145 ± 12,5 nm, 8 ~ 12 ohm.cm / Caja: 400 ± 25 nm, muesca<110>
G8M107	ASIQUE	200	CZ	N	PH	100	725±15	0.3~1.2	Dispositivo: 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm/Caja: 950~1050nm, muesca<100>
230300058	ASIQUE	150	CZ	P	B	100	450±5	1~10	Dispositivo: 15μm±0.5μm P 0.01~0,02/caja: 5μm±5%,DSP
1511032	ASIQUE	100	CZ	N		100	475±25	N / A	Dispositivo: 20μm±0.5 N 0.001~0,02 / Caja: 15μm±3%
G8N70	ASIQUE	200	CZ	N	PH	100	725±10	1~10	Dispositivo: 70μm±5% / Caja: 1000nm±5%
G8K00318	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	625±10	>1000	Dispositivo: 1,5±0.5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	ASIQUE	200	CZ	P	B	100	725±15	8.5~11.5	Dispositivo: 1250±100nm / Caja: 400±40nm
112301	ASIQUE	100	CZ	N	sb	100	300	0.005~0.025	Dispositivo: 30μm/caja: 0,5μm
G6P163S	ASIQUE	150	CZ	P	B	100	675±15	10~20	Dispositivo: 200~240nm, 10~20 ohm.cm/Caja: 2850~3150nm